Next-Gen TSV
3D Packaging (3D-IC)
TSV 수직 적층 기반 초고속·고집적 솔루션실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 적용하여 복수의 반도체 다이(Die)를 수직으로 적층하는 차세대 패키징입니다. 칩 간 신호 지연을 극단적으로 줄이고, HBM 및 AI 가속기가 요구하는 초고대역폭과 저전력 특성을 완성합니다.
에셈와이는 AI 가속기, HBM, High-Performance Computing 시장을 선도하는
3D Packaging,
Advanced WLP, Flip Chip 핵심 소재 및 초미세 공정 장비 솔루션을 공급합니다.
고성능·저전력 AI 반도체 요구사항에 대응하기 위한 차세대 미세 공정 및 검사 소재·장비 포트폴리오입니다.
Next-Gen TSV
실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 적용하여 복수의 반도체 다이(Die)를 수직으로 적층하는 차세대 패키징입니다. 칩 간 신호 지연을 극단적으로 줄이고, HBM 및 AI 가속기가 요구하는 초고대역폭과 저전력 특성을 완성합니다.
Fan-Out & RDL
웨이퍼 단계에서 직접 패키징 및 테스트를 완료하는 첨단 기술입니다. 별도의 기판(Substrate)이 필요 없는 Fan-Out 기술을 통해 칩 두께와 면적을 비약적으로 줄이며, 초고밀도 I/O 재배선(RDL)을 지원합니다.
FC-BGA / FC-CSP
와이어 봉지 방식 대신 미세 범프(Micro Bump)를 사용하여 칩과 기판을 직접 플립 접합하는 검증된 고성능 솔루션입니다. 신호 전달 경로를 최단화하여 전기적 특성을 증대시키고 고열 발산에 유연하게 대응합니다.